氧化扩散炉

一．设备概述：
 本设备主要用于集成电路、电力电子等行业的电子专用设备，将3-6英寸硅片在通氧气的状态下高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，氧化工艺是集成电路工艺中应用最广泛的基础工艺之一，氧化膜的用途广泛，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等干氧制程工艺，采用电脑工控机软件控制方式，是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。 
 
 二．设备类型参数：

方式：	左/右手操作方式，大工作台面（侧面采用高效净化）
可配工艺管数量：	1-5管系统
净化台洁净度：	100级（10000级厂房）
气体流量控制：	均用MFC控制
气路流量设定精度：	±2%FS
送取片方式：	自动推拉,采用石英浆推拉舟,软着陆方式
推拉杆行程	1800mm-2100mm
速度：	20mm-1000mm/min
承重：	≥15kg
冷却系统：	水冷2-4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排风冷≈25m3/min；
使用类型：	3-6寸炉管 3-6
可加工硅片尺寸	3-6英寸
工作温度：	500～1100℃
炉管有效口径:	￠150-240mm
总功率：	15-28KVA（单管）   保温功率：8-15KVA
三相五线制：	380V±10%，50Hz±10%，次级线不小于35平方高温线
报警:	具有超温报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能
恒温区长度及段数：	800-1100mm（3-5段控温）
控温精度：	±1℃（≧1100℃）
单点温度稳定性：	±1℃/12h
控温方式：	工控机 + PLC控制 + 触摸屏
热偶类型:	热电偶采用S/R型，每管Spike 4-10支热偶
最大可控升温范围：	(600～1100℃)0--15℃/min
最大可控降温范围：	(1100～600℃)0--10℃/min
设备总外形尺寸：	根据设备配置不同,尺寸有所不同

三．主要构成：

1、	设备主机
2、	加热系统
3、	排风冷却系统
4、	排毒箱（和设备主机做为一体）
5、	净化工作台
6、	控制系统
7、	自动石英浆推拉舟机构

四．设备主要特点和优势
 1★具有强大的软件功能，友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间； 
 2★采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化； 
 3★程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间； 
 4★具有多种工艺管路，可供用户方便选择； 
 5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰； 
 6★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制，避免马达丢步，运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期，自动校准位置，有效防止定位偏差； 
 7★气体流量采用数字化精确控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能； 
 8★具有多种报警功能及安全保护功能；
 9★恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度； 
 10★压力自动调整技术，将压力参数引入晶体硅氧化工艺，有效减小了尾部排风对工艺的干扰，减小由排风引起的工艺波动。