扩散炉炉体的特点与指标

   扩散炉炉体可以完全由进口炉替代，优质加热炉丝，进口绝缘材料，采用国外先进的加工工艺，该炉可在高温下使用，处理12英寸以下的硅，工作温度2000至1286年。扩散炉炉体用于大规模集成电路，分立器件，电力电子，光电器件和光纤的扩散，氧化，退火，合金化和烧结工艺。扩散过程的主要目的是通过将元素磷和硼扩散到硅晶片中来在高温条件下掺杂半导体晶片，以改变和控制半导体内的杂质的类型，浓度和分布，以便建立不同的电特性使用低压气氛的最新低压磷扩散可以在最小化对环境的影响的同时，实现更好的箱体阻力均匀性和更大的生产量。氧化工艺是将硅表面在高温下与氧化剂反应，生长一层二氧化硅薄膜。氧化方法是干氧和湿氧，湿氧，包括水蒸汽氧化和氢气和氧气的合成两种。扩散炉炉体的特点与指标

  可以保存多个过程曲线每个曲线可以设置多个步骤
  过程曲线的自动运行控制功能
  该过程可能被迫跳转到下一个过程步骤功能
  自动运行可以暂停/继续运行
  可存储多组PID参数，用于系统操作调用功能
  PID参数自整定功能
  工艺气体的过程控制
  关键部件都非常可靠
  有一个很好的人机界面
  系统故障自诊断功能
  断电后继续运行断电等后
  具有历史功能
  具有多点温度补偿功能

扩散炉炉体的特点与指标：

  可配置工艺管直径2至8英寸
  可配置数量的过程管：1至4个管/站
  工作温度范围：400〜1300
  恒温区长度和精度：300〜1250mm 800〜1300±0.5
 单点温度稳定：800〜1300±0.5 / 24h
  最大可控加热速率：15 / min
  最大冷却速度：5 / min